IGBT单管 1KW50N65H5 原装英飞凌场效应晶体管_深圳市诚海机电科技有限公司

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产品分类

供应IGBT单管 1KW50N65H5 原装英飞凌场效应晶体管

型号/规格：

1KW50N65H5

品牌/商标：

INFINEON（英飞凌）

Eoff (Hard Switching)：

0.18 mJ

Eon：

0.52 mJ

IC (@ 25°) max：

80 A

IC (@ 100°) max：

56 A

询价

产品信息

第五代高速 650 V 50 A 硬开关 TRENCHSTOPTM IGBT 与 RAPID 1 快速超软防关联二极管联合封装到 TO-247 封装，打造同类产品中极为卓越的 IGBT。

特征描述

650 V 击穿电压
对比业界卓著的“HighSpeed 3”系列
系数 Qg 降低 2.5 倍
开关损耗系数降低 2 倍
VCEsat 降低 200mV
联合封装 Rapid 硅二极管技术
低 COES/EOSS
温和正温度系数 VCEsat
Vf 具有温度稳定性

优势

具有同类产品中非常好的效率，降低结温和外壳温度，提高器件可靠性

母线电压可提升 50 V，同时不影响可靠性

更高的功率密度设计

潜在应用

不间断电源 (UPS)
工业加热和焊接

指标参数

Parametrics	IKW50N65H5
Eoff (Hard Switching)	0.18 mJ
Eon	0.52 mJ
IC (@ 25°) max	80 A
IC (@ 100°) max	56 A
ICpuls max	150 A
IF max	40 A
IFpuls max	150 A
Irrm	16.7 A
Ptot max	305 W
Package	TO-247-3
QGate	120 nC
Qrr	570 nC
RG	12 ?
RGint	-
Switching Frequency min max	30 kHz 100 kHz
Switching Frequency	TRENCHSTOP?5 30-100 kHz
Technology	IGBT TRENCHSTOP? 5
VCE(sat)	1.65 V
VCE max	650 V
VF	1.45 V
td(off)	180 ns
td(on)	21 ns
tf	18 ns
tr	15 ns

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三极管(1)

场效应管MOSFET(5)

可控硅IGBT(3)

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