IGBT单管 IKQ75N120CH3 英飞凌场效应晶体管_深圳市诚海机电科技有限公司

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IGBT单管 IKQ75N120CH3 英飞凌场效应晶体管

型号/规格：

IKQ75N120CH3

品牌/商标：

INFINEON（英飞凌）

Eoff (Hard Switching)：

2.8 mJ

Eon：

6.4 mJ

IC (@ 25°) max：

150 A

IC (@ 100°) max：

75 A

询价

产品信息

特征描述

High power density – up to 75 A 1200 V IGBT co-packed with 75 A diode in TO-247 footprint
20% lower R th(jh) compared to TO-247 3 pin
Extended collector-emitter pin creepage of 4.25 mm
Extended clip creepage due to fully encapsulated front side of the package

优势

Higher system power density – I c increase keeping the same system thermal performance
Lower thermal resistance R th(jh) and improved by ~15% heat dissipation capability of TO-247PLUS vs TO-247
Higher reliability, extended lifetime of the device

指标参数

Parametrics	IKQ75N120CH3
Eoff (Hard Switching)	2.8 mJ
Eon	6.4 mJ
IC (@ 25°) max	150 A
IC (@ 100°) max	75 A
ICpuls max	300 A
IF max	75 A
IFpuls max	300 A
Irrm	25 A
Ptot max	938 W
Package	TO-247-3
QGate	370 nC
Qrr	5100 nC
RG	6 ?
RGint	-
Switching Frequency	18-60 kHz
Switching Frequency min max	18 kHz 60 kHz
Technology	IGBT HighSpeed 3
VCE(sat)	2 V
VCE max	1200 V
VF	1.9 V
td(off)	282 ns
td(on)	34 ns
tf	29 ns
tr	47 ns

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